（原標題：龍頭企業(yè)創(chuàng)新“底色”鮮明 第三代半導體行業(yè)或實現(xiàn)“換道超車”）

證券時報記者 陳雨康

上交所12月22日舉辦科創(chuàng)板新質生產(chǎn)力行業(yè)沙龍第二期“換道超車-第三代半導體”，聚焦第三代半導體產(chǎn)業(yè)領域。在現(xiàn)場，華潤微、芯聯(lián)集成、天岳先進3家第三代半導體頭部企業(yè)與多家證券公司、基金管理公司、QFII等機構深入交流第三代半導體的性能優(yōu)勢、應用場景、產(chǎn)業(yè)化進程、發(fā)展趨勢等話題，探討“換道超車”的機遇與挑戰(zhàn)。

與會嘉賓普遍認為，目前全球第三代半導體行業(yè)處于起步階段，并正在加速發(fā)展。我國在第三代半導體領域進行了全產(chǎn)業(yè)鏈布局，各環(huán)節(jié)均涌現(xiàn)出具有國際競爭力的企業(yè)。相比硅基半導體而言，中國企業(yè)在第三代半導體領域和國際處于同一起跑線，有望實現(xiàn)“換道超車”。

第三代半導體龍頭涌現(xiàn)

中央經(jīng)濟工作會議提出，要以科技創(chuàng)新推動產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新，特別是以顛覆性技術和前沿技術催生新產(chǎn)業(yè)、新模式、新動能，發(fā)展新質生產(chǎn)力。

第三代半導體被稱為“未來電子產(chǎn)業(yè)基石”，指的是以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導體材料。

天岳先進董事長宗艷民表示，“相較于傳統(tǒng)半導體材料，第三代半導體材料具有擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強等優(yōu)勢，更適合制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件?！?/p>

第三代半導體以此特有的性能優(yōu)勢，在半導體照明、新能源汽車、新一代移動通信、新能源并網(wǎng)、高速軌道交通等領域具有廣闊的應用前景。2020年9月，第三代半導體寫入“十四五”規(guī)劃，在技術、市場與政策的三力驅動下，近年來國內(nèi)涌現(xiàn)出多家第三代半導體領域的龍頭公司。

華潤微作為專注于功率半導體的IDM公司，在多年前就布局了第三代半導體，基于自身硅基器件設計、制造和銷售優(yōu)勢，建設了6英寸碳化硅半導體生產(chǎn)線，覆蓋從晶圓制造到成品封裝全產(chǎn)業(yè)鏈。

芯聯(lián)集成同樣積極布局第三代半導體，從2021年起開始投入碳化硅MOSFET芯片、模組封裝技術的研發(fā)和產(chǎn)能建設，并在兩年時間里完成了3輪技術迭代，碳化硅MOSFET的器件性能已經(jīng)與國際先進水平同步，實現(xiàn)了6英寸5000片/月碳化硅MOSFET芯片的大批量生產(chǎn)。

從進口替代到加速出海

目前，全球第三代半導體行業(yè)整體處于起步階段，并正在加速發(fā)展。與會嘉賓均表示，我國在第三代半導體領域進行了全產(chǎn)業(yè)鏈布局，各環(huán)節(jié)均涌現(xiàn)出具有國際競爭力的企業(yè)。相比硅基半導體而言，中國企業(yè)在第三代半導體領域和國際處于同一起跑線，有望實現(xiàn)“換道超車”。

華潤微總裁李虹表示，“從事碳化硅襯底和外延的國內(nèi)頭部廠家從產(chǎn)量、質量上已經(jīng)接近國際先進水平，未來基于規(guī)模化、良率提升等成本進一步下降，將非常具有競爭力。”

“在器件領域，國內(nèi)企業(yè)碳化硅二極管、氮化稼器件也都已實現(xiàn)國產(chǎn)化?！毙韭?lián)集成總經(jīng)理趙奇表示。

從材料端來看，天岳公司在半絕緣襯底、車規(guī)級襯底應用已經(jīng)走在國際前列。宗艷民表示，“目前碳化硅襯底不僅能夠滿足國內(nèi)需求，而且還實現(xiàn)了向海外輸出，公司已成為包括英飛凌、博世等海外頭部企業(yè)的主要供貨商?！?/p>

第三代半導體或超預期增長

對于未來市場需求和增長空間，與會嘉賓均認為，第三代半導體屬于藍海市場。

Yole數(shù)據(jù)顯示，預計2028年全球碳化硅市場規(guī)模將高達89.06億美元，氮化鎵市場規(guī)模將達47億美元。對此，與會嘉賓均認為，這一判斷符合預期，實際增長也可能超預期。

李虹表示，碳化硅市場目前正處于成長期，主要基于以下幾個因素：首先，碳化硅主要的應用市場如新能源汽車、充電樁、光伏、儲能等行業(yè)正處于快速發(fā)展期；其次，碳化硅、氮化稼由于其高壓高溫高頻特性，在很多應用領域逐步替代硅基產(chǎn)品的市場份額，比如空壓機、不間斷電源、射頻電源等。

“越來越多有一定技術能力的公司正在圍繞碳化硅功率器件特性設計下一代新產(chǎn)品?？梢灶A見的是，未來一、兩年碳化硅功率器件市場將有質的變化?！崩詈绫硎?。

趙奇表示，“調(diào)研機構預估接下來幾年全球第三代半導體年復合增長率在30%至40%。對于中國企業(yè)而言，由于我們在新能源汽車、光伏等主要終端應用市場占據(jù)了領先優(yōu)勢，預計將實現(xiàn)高于全球平均的增長曲線?！?/p>

趙奇進一步分析了未來碳化硅器件四個主要的應用場景，分別是新能源車的主驅逆變器、車載充電機、光伏/風力電站和儲能的逆變器、大于萬伏的超高壓輸配電。其中，電動車800V超充技術升級后，2024年會是碳化硅器件大量使用到車載主驅逆變器的一年。

校對：冉燕青

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